IXTE250N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: IXTE250N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 730 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 250 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS227
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам