IXTE250N10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTE250N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 730 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 250 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS227

Аналог (замена) для IXTE250N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTE250N10 даташит

No data!

Другие IGBT... IXTC250N075T, IXTC26N50P, IXTC280N055T, IXTC36P15P, IXTC62N15P, IXTC75N10, IXTC96N25T, IXTD110N25T-8W, IRFB7545, IXTF03N400, IXTF1N250, IXTF1N400, IXTF200N10T, IXTF230N085T, IXTF250N075T, IXTF280N055T, IXTH02N250