IXTF1N400 Todos los transistores

 

IXTF1N400 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTF1N400
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 4000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3500 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 60 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS I4PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXTF1N400 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:151K  ixys
 ixtf1n450.pdf pdf_icon

IXTF1N400

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 4500VIXTF1N450Power MOSFETID25 = 0.9A RDS(on) 85 (Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMN-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings12Isolated TabVDSS TJ = 25C to 150C 4500 V5VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4500 VVGSS Continuous 20 V1 = Gate

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDP16N50 | SSF11NS70UF | AP13N50I-HF | SI4368DY | 2SK3601-01 | AOTL130A60FD | SWK15N04V

 

 
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