Справочник MOSFET. IXTF1N400

 

IXTF1N400 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTF1N400
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 4000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3500 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 60 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS I4PAK
 

 Аналог (замена) для IXTF1N400

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTF1N400 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:151K  ixys
 ixtf1n450.pdf pdf_icon

IXTF1N400

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 4500VIXTF1N450Power MOSFETID25 = 0.9A RDS(on) 85 (Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMN-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings12Isolated TabVDSS TJ = 25C to 150C 4500 V5VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4500 VVGSS Continuous 20 V1 = Gate

Другие MOSFET... IXTC36P15P , IXTC62N15P , IXTC75N10 , IXTC96N25T , IXTD110N25T-8W , IXTE250N10 , IXTF03N400 , IXTF1N250 , 2SK3918 , IXTF200N10T , IXTF230N085T , IXTF250N075T , IXTF280N055T , IXTH02N250 , IXTH03N400 , IXTH102N15T , IXTH102N20T .

History: JMPF8N60BJ | NCV8401 | BSN254

 

 
Back to Top

 


 
.