Справочник MOSFET. IXTF1N400

 

IXTF1N400 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTF1N400
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 4000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 78 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 3500 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 60 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS I4PAK
 

 Аналог (замена) для IXTF1N400

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTF1N400 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:151K  ixys
 ixtf1n450.pdf pdf_icon

IXTF1N400

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 4500VIXTF1N450Power MOSFETID25 = 0.9A RDS(on) 85 (Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMN-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings12Isolated TabVDSS TJ = 25C to 150C 4500 V5VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4500 VVGSS Continuous 20 V1 = Gate

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.