IXTH15N50L2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTH15N50L2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 123 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 570 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTH15N50L2

IXTH15N50L2 Datasheet (PDF)

0.1. Size:133K ixys
ixth15n50l2-ixtp15n50l2.pdf

Linear L2TM Power VDSS = 500VIXTH15N50L2MOSFET w/Extended ID25 = 15AIXTP15N50L2 RDS(on) 480m FBSOAN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220 (IXTP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VG (TAB)DVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VSVGSS Continuous 20 VTO-247 (IXTH)VGSM Transient 30

5.1. Size:65K ixys
ixth15n45a ixth15n50a ixtm15n45a ixtm15n50a.pdf

7.1. Size:681K 1
ixth12n45ma ixth12n45mb ixth12n50ma ixth12n50mb ixth15n35ma ixth15n35mb ixth15n40ma ixth15n40mb ixtz42n20mb ixtz67n10ma ixtz67n10mb.pdf

7.2. Size:148K ixys
ixth15n70.pdf

IXTH15N70 PCB24IXTH 15N70 VDSS = 700 VMegaMOSTMFET ID (cont) = 15 ARDS(on) = 0.45 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C 700 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 700 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 T

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ixth15n60 ixtm15n60 ixth20n60 ixtm20n60.pdf

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