IXTH15N50L2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTH15N50L2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 570 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXTH15N50L2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH15N50L2 даташит

 0.1. Size:133K  ixys
 ixth15n50l2-ixtp15n50l2.pdf pdf_icon

IXTH15N50L2

Linear L2TM Power VDSS = 500V IXTH15N50L2 MOSFET w/Extended ID25 = 15A IXTP15N50L2 RDS(on) 480m FBSOA N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-220 (IXTP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V G (TAB) D VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 500 V S VGSS Continuous 20 V TO-247 (IXTH) VGSM Transient 30

 5.1. Size:65K  ixys
 ixth15n45a ixth15n50a ixtm15n45a ixtm15n50a.pdf pdf_icon

IXTH15N50L2

 7.1. Size:681K  1
 ixth12n45ma ixth12n45mb ixth12n50ma ixth12n50mb ixth15n35ma ixth15n35mb ixth15n40ma ixth15n40mb ixtz42n20mb ixtz67n10ma ixtz67n10mb.pdf pdf_icon

IXTH15N50L2

 7.2. Size:148K  ixys
 ixth15n70.pdf pdf_icon

IXTH15N50L2

IXTH15N70 PCB 24 IXTH 15N70 VDSS = 700 V MegaMOSTMFET ID (cont) = 15 A RDS(on) = 0.45 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VDSS TJ = 25 C to 150 C 700 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 700 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTH12N120, IXTH12N140, IXTH130N10T, IXTH130N15T, IXTH130N20T, IXTH140P05T, IXTH150N17T, IXTH152N085T, IRFB4227, IXTH160N075T, IXTH160N10T, IXTH160N15T, IXTH16N10D2, IXTH16N20D2, IXTH16N50D2, IXTH16P20, IXTH16P60P