Справочник MOSFET. IXTH15N50L2

 

IXTH15N50L2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH15N50L2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 570 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXTH15N50L2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH15N50L2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:133K  ixys
 ixth15n50l2-ixtp15n50l2.pdf pdf_icon

IXTH15N50L2

Linear L2TM Power VDSS = 500VIXTH15N50L2MOSFET w/Extended ID25 = 15AIXTP15N50L2 RDS(on) 480m FBSOAN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220 (IXTP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VG (TAB)DVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VSVGSS Continuous 20 VTO-247 (IXTH)VGSM Transient 30

 5.1. Size:65K  ixys
 ixth15n45a ixth15n50a ixtm15n45a ixtm15n50a.pdf pdf_icon

IXTH15N50L2

 7.1. Size:681K  1
 ixth12n45ma ixth12n45mb ixth12n50ma ixth12n50mb ixth15n35ma ixth15n35mb ixth15n40ma ixth15n40mb ixtz42n20mb ixtz67n10ma ixtz67n10mb.pdf pdf_icon

IXTH15N50L2

 7.2. Size:148K  ixys
 ixth15n70.pdf pdf_icon

IXTH15N50L2

IXTH15N70 PCB24IXTH 15N70 VDSS = 700 VMegaMOSTMFET ID (cont) = 15 ARDS(on) = 0.45 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C 700 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 700 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTH12N120 , IXTH12N140 , IXTH130N10T , IXTH130N15T , IXTH130N20T , IXTH140P05T , IXTH150N17T , IXTH152N085T , AON6414A , IXTH160N075T , IXTH160N10T , IXTH160N15T , IXTH16N10D2 , IXTH16N20D2 , IXTH16N50D2 , IXTH16P20 , IXTH16P60P .

History: K2698B

 

 
Back to Top

 


 
.