IXTH90P10P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTH90P10P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 462 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 144 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: TO247

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IXTH90P10P datasheet

 9.1. Size:198K  ixys
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IXTH90P10P

IXTH 96N20P VDSS = 200 V PolarHTTM IXTQ 96N20P ID25 = 96 A Power MOSFET IXTT 96N20P RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement Mode TO-247 (IXTH) Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings G D VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V S (TAB) VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 V VGSS Continous 20 V TO-3P (IXTQ) VGSM Transient

 9.2. Size:239K  ixys
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IXTH90P10P

IXTH 96N20P VDSS = 200 V PolarHTTM IXTQ 96N20P ID25 = 96 A Power MOSFET IXTT 96N20P RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement Mode TO-247 (IXTH) Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings G D VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V S (TAB) VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 V VGSS Continous 20 V TO-3P (IXTQ) VGSM Transient

Otros transistores... IXTH75N15, IXTH76N25T, IXTH76P10T, IXTH80N20L, IXTH86N25T, IXTH88N15, IXTH88N30P, IXTH90N15T, IRF3205, IXTH96N20P, IXTH96N25T, IXTH96P085T, IXTJ36N20, IXTK100N25P, IXTK102N30P, IXTK110N20L2, IXTK110N30