IXTH90P10P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTH90P10P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 462 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 144 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXTH90P10P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH90P10P даташит

 9.1. Size:198K  ixys
 ixth96n20p ixtt96n20p ixtq96n20p.pdf pdf_icon

IXTH90P10P

IXTH 96N20P VDSS = 200 V PolarHTTM IXTQ 96N20P ID25 = 96 A Power MOSFET IXTT 96N20P RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement Mode TO-247 (IXTH) Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings G D VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V S (TAB) VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 V VGSS Continous 20 V TO-3P (IXTQ) VGSM Transient

 9.2. Size:239K  ixys
 ixth96n20p ixtq96n20p ixtt96n20p.pdf pdf_icon

IXTH90P10P

IXTH 96N20P VDSS = 200 V PolarHTTM IXTQ 96N20P ID25 = 96 A Power MOSFET IXTT 96N20P RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement Mode TO-247 (IXTH) Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings G D VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V S (TAB) VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 V VGSS Continous 20 V TO-3P (IXTQ) VGSM Transient

Другие IGBT... IXTH75N15, IXTH76N25T, IXTH76P10T, IXTH80N20L, IXTH86N25T, IXTH88N15, IXTH88N30P, IXTH90N15T, IRF3205, IXTH96N20P, IXTH96N25T, IXTH96P085T, IXTJ36N20, IXTK100N25P, IXTK102N30P, IXTK110N20L2, IXTK110N30