IXTH90P10P - аналоги и даташиты транзистора

 

IXTH90P10P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXTH90P10P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 462 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 144 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXTH90P10P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH90P10P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:198K  ixys
 ixth96n20p ixtt96n20p ixtq96n20p.pdf pdf_icon

IXTH90P10P

IXTH 96N20P VDSS = 200 VPolarHTTMIXTQ 96N20P ID25 = 96 APower MOSFET IXTT 96N20P RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)Avalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25 C to 150 C 200 VS(TAB)VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 VVGSS Continous 20 VTO-3P (IXTQ)VGSM Transient

 9.2. Size:239K  ixys
 ixth96n20p ixtq96n20p ixtt96n20p.pdf pdf_icon

IXTH90P10P

IXTH 96N20P VDSS = 200 VPolarHTTMIXTQ 96N20P ID25 = 96 APower MOSFET IXTT 96N20P RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)Avalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25 C to 150 C 200 VS(TAB)VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 VVGSS Continous 20 VTO-3P (IXTQ)VGSM Transient

Другие MOSFET... IXTH75N15 , IXTH76N25T , IXTH76P10T , IXTH80N20L , IXTH86N25T , IXTH88N15 , IXTH88N30P , IXTH90N15T , IRF3205 , IXTH96N20P , IXTH96N25T , IXTH96P085T , IXTJ36N20 , IXTK100N25P , IXTK102N30P , IXTK110N20L2 , IXTK110N30 .

History: MML60R190PTH | B4N80 | PHB110NQ08T | NVD5414N | 2SK2634 | MMN404 | VBL1154N

 

 
Back to Top

 


 
.