IXTK128N15 Todos los transistores

 

IXTK128N15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTK128N15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 540 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 128 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 250 nC
   Tiempo de subida (tr): 150 nS
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO264

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTK128N15

 

IXTK128N15 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:178K  ixys
ixtk120p20t ixtx120p20t.pdf

IXTK128N15
IXTK128N15

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = - 200VIXTK120P20TPower MOSFETs ID25 = - 120AIXTX120P20T RDS(on) 30m trr 300nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C - 200 V DSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS

 8.2. Size:191K  ixys
ixtk120n20p ixtq120n20p.pdf

IXTK128N15
IXTK128N15

IXTK 120N20PPolarHTTMVDSS = 200 VIXTQ 120N20PPower MOSFETID25 = 120 A RDS(on) 22 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 200 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 200 VGVGS Continuous 20 VD(TAB)SVGSM Transient 30 VID25 TC = 25

 8.3. Size:159K  ixys
ixtk120n65x2 ixtx120n65x2.pdf

IXTK128N15
IXTK128N15

Advance Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTK120N65X2Power MOSFET ID25 = 120AIXTX120N65X2 RDS(on) 24m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264P (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 650 VDTabVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 V SVGSS Continuous 30 VPLUS247 (IX

 8.4. Size:163K  ixys
ixtk120n25p.pdf

IXTK128N15
IXTK128N15

VDSS = 250 VIXTK 120N25PPolarHTTMID25 = 120 APower MOSFET RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXTK)VDSS TJ = 25 C to 175 C 250 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 250 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25 C 120 AGD(TAB)ID(RMS

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


IXTK128N15
  IXTK128N15
  IXTK128N15
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C

 

 

 
Back to Top