IXTK128N15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTK128N15
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 540 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 128 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTK128N15
IXTK128N15 Datasheet (PDF)
ixtk120p20t ixtx120p20t.pdf
Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = - 200VIXTK120P20TPower MOSFETs ID25 = - 120AIXTX120P20T RDS(on) 30m trr 300nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C - 200 V DSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS
ixtk120n20p ixtq120n20p.pdf
IXTK 120N20PPolarHTTMVDSS = 200 VIXTQ 120N20PPower MOSFETID25 = 120 A RDS(on) 22 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 200 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 200 VGVGS Continuous 20 VD(TAB)SVGSM Transient 30 VID25 TC = 25
ixtk120n65x2 ixtx120n65x2.pdf
Advance Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTK120N65X2Power MOSFET ID25 = 120AIXTX120N65X2 RDS(on) 24m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264P (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 650 VDTabVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 V SVGSS Continuous 30 VPLUS247 (IX
ixtk120n25p.pdf
VDSS = 250 VIXTK 120N25PPolarHTTMID25 = 120 APower MOSFET RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXTK)VDSS TJ = 25 C to 175 C 250 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 250 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25 C 120 AGD(TAB)ID(RMS
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Liste
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