Справочник MOSFET. IXTK128N15

 

IXTK128N15 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTK128N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 540 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 128 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 250 nC
   trⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для IXTK128N15

 

 

IXTK128N15 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:178K  ixys
 ixtk120p20t ixtx120p20t.pdf

IXTK128N15 IXTK128N15

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = - 200VIXTK120P20TPower MOSFETs ID25 = - 120AIXTX120P20T RDS(on) 30m trr 300nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C - 200 V DSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS

 8.2. Size:191K  ixys
 ixtk120n20p ixtq120n20p.pdf

IXTK128N15 IXTK128N15

IXTK 120N20PPolarHTTMVDSS = 200 VIXTQ 120N20PPower MOSFETID25 = 120 A RDS(on) 22 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 200 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 200 VGVGS Continuous 20 VD(TAB)SVGSM Transient 30 VID25 TC = 25

 8.3. Size:159K  ixys
 ixtk120n65x2 ixtx120n65x2.pdf

IXTK128N15 IXTK128N15

Advance Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTK120N65X2Power MOSFET ID25 = 120AIXTX120N65X2 RDS(on) 24m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264P (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 650 VDTabVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 V SVGSS Continuous 30 VPLUS247 (IX

 8.4. Size:163K  ixys
 ixtk120n25p.pdf

IXTK128N15 IXTK128N15

VDSS = 250 VIXTK 120N25PPolarHTTMID25 = 120 APower MOSFET RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXTK)VDSS TJ = 25 C to 175 C 250 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 250 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25 C 120 AGD(TAB)ID(RMS

Другие MOSFET... IXTJ36N20 , IXTK100N25P , IXTK102N30P , IXTK110N20L2 , IXTK110N30 , IXTK120N20P , IXTK120N25 , IXTK120N25P , 10N60 , IXTK140N20P , IXTK140N30P , IXTK150N15P , IXTK160N20 , IXTK170N10P , IXTK170P10P , IXTK17N120L , IXTK180N15 .

 

 
Back to Top