IXTK32P60P Todos los transistores

 

IXTK32P60P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTK32P60P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 890 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 480 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO264
 

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IXTK32P60P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:74K  ixys
 ixtk33n45 ixtk33n50.pdf pdf_icon

IXTK32P60P

 9.2. Size:92K  ixys
 ixtk33n50.pdf pdf_icon

IXTK32P60P

IXTK 33N50 VDSS = 500 VHigh CurrentID (cont) = 33 AMegaMOSTMFETRDS(on) = 0.17 N-Channel Enhancement ModePreliminary dataSymbol Test conditions Maximum ratings TO-264 AAVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1.0 M 500 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VD (TAB)GDID25 TC = 25C 33 ASIDM TC = 25C, pulse

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History: DADMI040N120Z1B | IXFR80N50Q3

 

 
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