IXTK32P60P Todos los transistores

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IXTK32P60P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTK32P60P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 890 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Corriente continua de drenaje (Id): 32 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 480 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.35 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO264

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IXTK32P60P Datasheet (PDF)

5.1. ixtk33n50.pdf Size:92K _ixys

IXTK32P60P
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IXTK 33N50 VDSS = 500 V High Current ID (cont) = 33 A MegaMOSTMFET Ω RDS(on) = 0.17 Ω Ω Ω Ω N-Channel Enhancement Mode Preliminary data Symbol Test conditions Maximum ratings TO-264 AA VDSS TJ = 25°C to 150°C 500 V VDGR TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1.0 MΩ 500 V VGS Continuous ±20 V VGSM Transient ±30 V D (TAB) G D ID25 TC = 25°C 33 A S IDM TC = 25°C, pulse

5.2. ixtk33n45 ixtk33n50.pdf Size:74K _ixys

IXTK32P60P
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