IXTK32P60P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTK32P60P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 890 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 480 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm

Encapsulados: TO264

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IXTK32P60P datasheet

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IXTK32P60P

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IXTK32P60P

IXTK 33N50 VDSS = 500 V High Current ID (cont) = 33 A MegaMOSTMFET RDS(on) = 0.17 N-Channel Enhancement Mode Preliminary data Symbol Test conditions Maximum ratings TO-264 AA VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1.0 M 500 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V D (TAB) G D ID25 TC = 25 C 33 A S IDM TC = 25 C, pulse

Otros transistores... IXTK17N120L, IXTK180N15, IXTK180N15P, IXTK200N10L2, IXTK200N10P, IXTK20N140, IXTK22N100L, IXTK250N10, IRF9540, IXTK34N80, IXTK40P50P, IXTK46N50L, IXTK550N055T2, IXTK5N250, IXTK600N04T2, IXTK60N50L2, IXTK62N25