Справочник MOSFET. IXTK32P60P

 

IXTK32P60P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTK32P60P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 480 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для IXTK32P60P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTK32P60P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:74K  ixys
 ixtk33n45 ixtk33n50.pdf pdf_icon

IXTK32P60P

 9.2. Size:92K  ixys
 ixtk33n50.pdf pdf_icon

IXTK32P60P

IXTK 33N50 VDSS = 500 VHigh CurrentID (cont) = 33 AMegaMOSTMFETRDS(on) = 0.17 N-Channel Enhancement ModePreliminary dataSymbol Test conditions Maximum ratings TO-264 AAVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1.0 M 500 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VD (TAB)GDID25 TC = 25C 33 ASIDM TC = 25C, pulse

Другие MOSFET... IXTK17N120L , IXTK180N15 , IXTK180N15P , IXTK200N10L2 , IXTK200N10P , IXTK20N140 , IXTK22N100L , IXTK250N10 , K3569 , IXTK34N80 , IXTK40P50P , IXTK46N50L , IXTK550N055T2 , IXTK5N250 , IXTK600N04T2 , IXTK60N50L2 , IXTK62N25 .

History: CEM3258 | AON6816 | CHM6338JGP

 

 
Back to Top

 


 
.