Справочник MOSFET. IXTK32P60P

 

IXTK32P60P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTK32P60P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 480 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: TO264
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTK32P60P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:74K  ixys
 ixtk33n45 ixtk33n50.pdf pdf_icon

IXTK32P60P

 9.2. Size:92K  ixys
 ixtk33n50.pdf pdf_icon

IXTK32P60P

IXTK 33N50 VDSS = 500 VHigh CurrentID (cont) = 33 AMegaMOSTMFETRDS(on) = 0.17 N-Channel Enhancement ModePreliminary dataSymbol Test conditions Maximum ratings TO-264 AAVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1.0 M 500 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VD (TAB)GDID25 TC = 25C 33 ASIDM TC = 25C, pulse

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRLI3803 | FDC654P | OSG55R074HSZF | PNMET20V06E | 2SK1501 | WFF830 | SPD04N60C3

 

 
Back to Top

 


 
.