IXTK32P60P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTK32P60P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 480 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: TO264

Аналог (замена) для IXTK32P60P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTK32P60P даташит

 9.1. Size:74K  ixys
 ixtk33n45 ixtk33n50.pdf pdf_icon

IXTK32P60P

 9.2. Size:92K  ixys
 ixtk33n50.pdf pdf_icon

IXTK32P60P

IXTK 33N50 VDSS = 500 V High Current ID (cont) = 33 A MegaMOSTMFET RDS(on) = 0.17 N-Channel Enhancement Mode Preliminary data Symbol Test conditions Maximum ratings TO-264 AA VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1.0 M 500 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V D (TAB) G D ID25 TC = 25 C 33 A S IDM TC = 25 C, pulse

Другие IGBT... IXTK17N120L, IXTK180N15, IXTK180N15P, IXTK200N10L2, IXTK200N10P, IXTK20N140, IXTK22N100L, IXTK250N10, IRF9540, IXTK34N80, IXTK40P50P, IXTK46N50L, IXTK550N055T2, IXTK5N250, IXTK600N04T2, IXTK60N50L2, IXTK62N25