IXTK34N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTK34N80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 560 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 550 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTK34N80
IXTK34N80 Datasheet (PDF)
ixtk33n50.pdf
IXTK 33N50 VDSS = 500 VHigh CurrentID (cont) = 33 AMegaMOSTMFETRDS(on) = 0.17 N-Channel Enhancement ModePreliminary dataSymbol Test conditions Maximum ratings TO-264 AAVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1.0 M 500 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VD (TAB)GDID25 TC = 25C 33 ASIDM TC = 25C, pulse
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Liste
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