Справочник MOSFET. IXTK34N80

 

IXTK34N80 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTK34N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 560 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 270 nC
   trⓘ - Время нарастания: 550 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для IXTK34N80

 

 

IXTK34N80 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:74K  ixys
 ixtk33n45 ixtk33n50.pdf

IXTK34N80 IXTK34N80

 9.2. Size:92K  ixys
 ixtk33n50.pdf

IXTK34N80 IXTK34N80

IXTK 33N50 VDSS = 500 VHigh CurrentID (cont) = 33 AMegaMOSTMFETRDS(on) = 0.17 N-Channel Enhancement ModePreliminary dataSymbol Test conditions Maximum ratings TO-264 AAVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1.0 M 500 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VD (TAB)GDID25 TC = 25C 33 ASIDM TC = 25C, pulse

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top