Справочник MOSFET. IXTK34N80

 

IXTK34N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTK34N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 560 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   trⓘ - Время нарастания: 550 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO264
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTK34N80 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:74K  ixys
 ixtk33n45 ixtk33n50.pdf pdf_icon

IXTK34N80

 9.2. Size:92K  ixys
 ixtk33n50.pdf pdf_icon

IXTK34N80

IXTK 33N50 VDSS = 500 VHigh CurrentID (cont) = 33 AMegaMOSTMFETRDS(on) = 0.17 N-Channel Enhancement ModePreliminary dataSymbol Test conditions Maximum ratings TO-264 AAVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1.0 M 500 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VD (TAB)GDID25 TC = 25C 33 ASIDM TC = 25C, pulse

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: PJM2309PSA | RQ3E130MN | APT10050LVFR | IRF6601 | STM8300 | SI1402DH | IRFP150FI

 

 
Back to Top

 


 
.