IXTK34N80 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IXTK34N80
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 560 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
tr ⓘ - Время нарастания: 550 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
Тип корпуса: TO264
Аналог (замена) для IXTK34N80
IXTK34N80 Datasheet (PDF)
ixtk33n50.pdf

IXTK 33N50 VDSS = 500 VHigh CurrentID (cont) = 33 AMegaMOSTMFETRDS(on) = 0.17 N-Channel Enhancement ModePreliminary dataSymbol Test conditions Maximum ratings TO-264 AAVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1.0 M 500 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VD (TAB)GDID25 TC = 25C 33 ASIDM TC = 25C, pulse
Другие MOSFET... IXTK180N15 , IXTK180N15P , IXTK200N10L2 , IXTK200N10P , IXTK20N140 , IXTK22N100L , IXTK250N10 , IXTK32P60P , IRLZ44N , IXTK40P50P , IXTK46N50L , IXTK550N055T2 , IXTK5N250 , IXTK600N04T2 , IXTK60N50L2 , IXTK62N25 , IXTK75N30 .
History: IXTH68P20T | BUK9516-55A | IXTK250N10 | IXTK200N10P | BUK9510-55A | BUK95180-100A
History: IXTH68P20T | BUK9516-55A | IXTK250N10 | IXTK200N10P | BUK9510-55A | BUK95180-100A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent