IXTK40P50P Todos los transistores

 

IXTK40P50P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTK40P50P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 890 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 477 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO264
 

 Búsqueda de reemplazo de IXTK40P50P MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXTK40P50P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:117K  ixys
 ixtk46n50l ixtx46n50l.pdf pdf_icon

IXTK40P50P

Preliminary Technical InformationIXTK46N50L VDSS = 500 VLinear Power MOSFETIXTX46N50L ID25 = 46 AWith Extended FBSOA RDS(on) 0.16 N-Channel Enhancement ModeTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VGDVGS Continuous 30 VS(TAB)VGSM Transient

Otros transistores... IXTK180N15P , IXTK200N10L2 , IXTK200N10P , IXTK20N140 , IXTK22N100L , IXTK250N10 , IXTK32P60P , IXTK34N80 , IRFP260 , IXTK46N50L , IXTK550N055T2 , IXTK5N250 , IXTK600N04T2 , IXTK60N50L2 , IXTK62N25 , IXTK75N30 , IXTK80N25 .

History: DMP2004K | LSDN65R380HT | FDS4435-NL | H7P1006MD90TZ | AM7444N | CES2303 | OSG65R290AF

 

 
Back to Top

 


 
.