IXTK40P50P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IXTK40P50P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 477 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
Тип корпуса: TO264
Аналог (замена) для IXTK40P50P
IXTK40P50P Datasheet (PDF)
ixtk46n50l ixtx46n50l.pdf

Preliminary Technical InformationIXTK46N50L VDSS = 500 VLinear Power MOSFETIXTX46N50L ID25 = 46 AWith Extended FBSOA RDS(on) 0.16 N-Channel Enhancement ModeTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VGDVGS Continuous 30 VS(TAB)VGSM Transient
Другие MOSFET... IXTK180N15P , IXTK200N10L2 , IXTK200N10P , IXTK20N140 , IXTK22N100L , IXTK250N10 , IXTK32P60P , IXTK34N80 , 8205A , IXTK46N50L , IXTK550N055T2 , IXTK5N250 , IXTK600N04T2 , IXTK60N50L2 , IXTK62N25 , IXTK75N30 , IXTK80N25 .
History: 2N6786JANTX | BUK9511-55A
History: 2N6786JANTX | BUK9511-55A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet