Справочник MOSFET. IXTK40P50P

 

IXTK40P50P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTK40P50P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 477 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для IXTK40P50P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTK40P50P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:117K  ixys
 ixtk46n50l ixtx46n50l.pdf pdf_icon

IXTK40P50P

Preliminary Technical InformationIXTK46N50L VDSS = 500 VLinear Power MOSFETIXTX46N50L ID25 = 46 AWith Extended FBSOA RDS(on) 0.16 N-Channel Enhancement ModeTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VGDVGS Continuous 30 VS(TAB)VGSM Transient

Другие MOSFET... IXTK180N15P , IXTK200N10L2 , IXTK200N10P , IXTK20N140 , IXTK22N100L , IXTK250N10 , IXTK32P60P , IXTK34N80 , IRFP260 , IXTK46N50L , IXTK550N055T2 , IXTK5N250 , IXTK600N04T2 , IXTK60N50L2 , IXTK62N25 , IXTK75N30 , IXTK80N25 .

History: TK30S06K3L | IRFSL3806 | HGI200N10SL | RQ3E180GN | LSB60R030HT | 2SK3447 | OSG65R290AF

 

 
Back to Top

 


 
.