IXTK40P50P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTK40P50P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 477 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: TO264

Аналог (замена) для IXTK40P50P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTK40P50P даташит

 9.1. Size:117K  ixys
 ixtk46n50l ixtx46n50l.pdf pdf_icon

IXTK40P50P

Preliminary Technical Information IXTK46N50L VDSS = 500 V Linear Power MOSFET IXTX46N50L ID25 = 46 A With Extended FBSOA RDS(on) 0.16 N-Channel Enhancement Mode TO-264 (IXTK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V G D VGS Continuous 30 V S (TAB) VGSM Transient

Другие IGBT... IXTK180N15P, IXTK200N10L2, IXTK200N10P, IXTK20N140, IXTK22N100L, IXTK250N10, IXTK32P60P, IXTK34N80, 2SK3878, IXTK46N50L, IXTK550N055T2, IXTK5N250, IXTK600N04T2, IXTK60N50L2, IXTK62N25, IXTK75N30, IXTK80N25