Справочник MOSFET. IXTK40P50P

 

IXTK40P50P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTK40P50P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 477 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: TO264
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTK40P50P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:117K  ixys
 ixtk46n50l ixtx46n50l.pdf pdf_icon

IXTK40P50P

Preliminary Technical InformationIXTK46N50L VDSS = 500 VLinear Power MOSFETIXTX46N50L ID25 = 46 AWith Extended FBSOA RDS(on) 0.16 N-Channel Enhancement ModeTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VGDVGS Continuous 30 VS(TAB)VGSM Transient

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HGD750N15M | NTB5404N | TK3A60DA | APL602J | QS8K13 | TTP118N08A

 

 
Back to Top

 


 
.