IXTK60N50L2 Todos los transistores

 

IXTK60N50L2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTK60N50L2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 960 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 980 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO264
 

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IXTK60N50L2 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:583K  ixys
 ixtk62n25.pdf pdf_icon

IXTK60N50L2

IXTK 62N25 VDSS = 250 VHigh CurrentID25 = 62 AMegaMOSTMFETRDS(on) = 35 mN-Channel Enhancement ModePreliminary Data SheetSymbol Test conditions Maximum ratingsTO-264VDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1.0 M 250 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VD (TAB)GID25 TC = 25C62 ADIDM TC = 25C, pulse width

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History: IXTK40P50P | IXTL2x220N075T | IXTK82N25P | IXTK90N25L2

 

 
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