IXTK60N50L2 Todos los transistores

 

IXTK60N50L2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTK60N50L2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 960 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 980 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO264
 

 Búsqueda de reemplazo de IXTK60N50L2 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXTK60N50L2 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:583K  ixys
 ixtk62n25.pdf pdf_icon

IXTK60N50L2

IXTK 62N25 VDSS = 250 VHigh CurrentID25 = 62 AMegaMOSTMFETRDS(on) = 35 mN-Channel Enhancement ModePreliminary Data SheetSymbol Test conditions Maximum ratingsTO-264VDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1.0 M 250 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VD (TAB)GID25 TC = 25C62 ADIDM TC = 25C, pulse width

Otros transistores... IXTK250N10 , IXTK32P60P , IXTK34N80 , IXTK40P50P , IXTK46N50L , IXTK550N055T2 , IXTK5N250 , IXTK600N04T2 , 5N60 , IXTK62N25 , IXTK75N30 , IXTK80N25 , IXTK82N25P , IXTK88N30P , IXTK8N150L , IXTK90N15 , IXTK90N25L2 .

History: ME80N08AH-G | AM7444N | CES2303 | H7P1006MD90TZ | OSG65R290AF | FDS4435-NL | LSDN65R380HT

 

 
Back to Top

 


 
.