Справочник MOSFET. IXTK60N50L2

 

IXTK60N50L2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTK60N50L2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 960 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 980 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO264
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTK60N50L2 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:583K  ixys
 ixtk62n25.pdf pdf_icon

IXTK60N50L2

IXTK 62N25 VDSS = 250 VHigh CurrentID25 = 62 AMegaMOSTMFETRDS(on) = 35 mN-Channel Enhancement ModePreliminary Data SheetSymbol Test conditions Maximum ratingsTO-264VDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1.0 M 250 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VD (TAB)GID25 TC = 25C62 ADIDM TC = 25C, pulse width

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HGD750N15M | AO3451 | TK3A60DA | APL602J | IRFIBC20G | HAF1002

 

 
Back to Top

 


 
.