IXTK60N50L2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTK60N50L2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 960 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 980 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO264

Аналог (замена) для IXTK60N50L2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTK60N50L2 даташит

 9.1. Size:583K  ixys
 ixtk62n25.pdf pdf_icon

IXTK60N50L2

IXTK 62N25 VDSS = 250 V High Current ID25 = 62 A MegaMOSTMFET RDS(on) = 35 m N-Channel Enhancement Mode Preliminary Data Sheet Symbol Test conditions Maximum ratings TO-264 VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1.0 M 250 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V D (TAB) G ID25 TC = 25 C62 A D IDM TC = 25 C, pulse width

Другие IGBT... IXTK250N10, IXTK32P60P, IXTK34N80, IXTK40P50P, IXTK46N50L, IXTK550N055T2, IXTK5N250, IXTK600N04T2, IRLB4132, IXTK62N25, IXTK75N30, IXTK80N25, IXTK82N25P, IXTK88N30P, IXTK8N150L, IXTK90N15, IXTK90N25L2