IXTK75N30 Todos los transistores

 

IXTK75N30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTK75N30
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 540 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 360 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO264
 

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IXTK75N30 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:128K  ixys
 ixth68n20 ixtk74n20.pdf pdf_icon

IXTK75N30

VDSS ID25 RDS(on)High CurrentIXTK 74 N20 200 V 74 A 35 mWMegaMOSTMFETIXTH 68 N20 200 V 68 A 35 mWN-Channel Enhancement ModePreliminary dataSymbol Test conditions Maximum ratings TO-247AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1.0 M 200 VD (TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 74N20 74 A68N20 68 A TO-264 AA (I

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History: IXFT70N15 | SM3106NSU | IRF7484Q | OSG60R055TT3F | IXTY1N80 | TDM3726 | BSC072N04LD

 

 
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