IXTK75N30 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTK75N30

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 540 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 360 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: TO264

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IXTK75N30 datasheet

 9.1. Size:128K  ixys
 ixth68n20 ixtk74n20.pdf pdf_icon

IXTK75N30

VDSS ID25 RDS(on) High Current IXTK 74 N20 200 V 74 A 35 mW MegaMOSTMFET IXTH 68 N20 200 V 68 A 35 mW N-Channel Enhancement Mode Preliminary data Symbol Test conditions Maximum ratings TO-247AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1.0 M 200 V D (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C 74N20 74 A 68N20 68 A TO-264 AA (I

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