Справочник MOSFET. IXTK75N30

 

IXTK75N30 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTK75N30
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 540 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 360 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для IXTK75N30

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTK75N30 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:128K  ixys
 ixth68n20 ixtk74n20.pdf pdf_icon

IXTK75N30

VDSS ID25 RDS(on)High CurrentIXTK 74 N20 200 V 74 A 35 mWMegaMOSTMFETIXTH 68 N20 200 V 68 A 35 mWN-Channel Enhancement ModePreliminary dataSymbol Test conditions Maximum ratings TO-247AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1.0 M 200 VD (TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 74N20 74 A68N20 68 A TO-264 AA (I

Другие MOSFET... IXTK34N80 , IXTK40P50P , IXTK46N50L , IXTK550N055T2 , IXTK5N250 , IXTK600N04T2 , IXTK60N50L2 , IXTK62N25 , SPP20N60C3 , IXTK80N25 , IXTK82N25P , IXTK88N30P , IXTK8N150L , IXTK90N15 , IXTK90N25L2 , IXTK90P20P , IXTL2x180N10T .

History: RQ3E120AT | FC8V22280L | HTD080P03 | AP40N03GS | UF830L-TMS-T | RJK1575DPA | BSC035N04LSG

 

 
Back to Top

 


 
.