IXTK75N30 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTK75N30

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 540 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 360 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: TO264

Аналог (замена) для IXTK75N30

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTK75N30 даташит

 9.1. Size:128K  ixys
 ixth68n20 ixtk74n20.pdf pdf_icon

IXTK75N30

VDSS ID25 RDS(on) High Current IXTK 74 N20 200 V 74 A 35 mW MegaMOSTMFET IXTH 68 N20 200 V 68 A 35 mW N-Channel Enhancement Mode Preliminary data Symbol Test conditions Maximum ratings TO-247AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1.0 M 200 V D (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C 74N20 74 A 68N20 68 A TO-264 AA (I

Другие IGBT... IXTK34N80, IXTK40P50P, IXTK46N50L, IXTK550N055T2, IXTK5N250, IXTK600N04T2, IXTK60N50L2, IXTK62N25, K3569, IXTK80N25, IXTK82N25P, IXTK88N30P, IXTK8N150L, IXTK90N15, IXTK90N25L2, IXTK90P20P, IXTL2x180N10T