IXTN40P50P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTN40P50P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 890 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 477 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm

Encapsulados: SOT227

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IXTN40P50P datasheet

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IXTN40P50P

Preliminary Technical Information IXTN46N50L VDSS = 500 V Linear Power MOSFET ID25 = 46 A With Extended FBSOA D RDS(on) 0.16 N-Channel Enhancement Mode G S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXTN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V S G VGS Continuous 30 V VGSM

Otros transistores... IXTN170P10P, IXTN17N120L, IXTN200N10L2, IXTN200N10T, IXTN22N100L, IXTN30N100L, IXTN320N10T, IXTN32P60P, 4N60, IXTN46N50L, IXTN550N055T2, IXTN5N250, IXTN600N04T2, IXTN60N50L2, IXTN62N50L, IXTN8N150L, IXTN90N25L2