IXTN40P50P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTN40P50P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 477 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: SOT227

Аналог (замена) для IXTN40P50P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTN40P50P даташит

 9.1. Size:85K  ixys
 ixtn46n50l.pdf pdf_icon

IXTN40P50P

Preliminary Technical Information IXTN46N50L VDSS = 500 V Linear Power MOSFET ID25 = 46 A With Extended FBSOA D RDS(on) 0.16 N-Channel Enhancement Mode G S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXTN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V S G VGS Continuous 30 V VGSM

Другие IGBT... IXTN170P10P, IXTN17N120L, IXTN200N10L2, IXTN200N10T, IXTN22N100L, IXTN30N100L, IXTN320N10T, IXTN32P60P, 4N60, IXTN46N50L, IXTN550N055T2, IXTN5N250, IXTN600N04T2, IXTN60N50L2, IXTN62N50L, IXTN8N150L, IXTN90N25L2