Справочник MOSFET. IXTN40P50P

 

IXTN40P50P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTN40P50P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 477 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: SOT227
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTN40P50P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:85K  ixys
 ixtn46n50l.pdf pdf_icon

IXTN40P50P

Preliminary Technical InformationIXTN46N50L VDSS = 500 VLinear Power MOSFETID25 = 46 AWith Extended FBSOAD RDS(on) 0.16 N-Channel Enhancement ModeGSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXTN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VSGVGS Continuous 30 VVGSM

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SIF160N040 | DMHT6016LFJ | STP120N4F6 | JCS740RC | JST2302H | NCE70N600F | IRF5M3415

 

 
Back to Top

 


 
.