Справочник MOSFET. IXTN40P50P

 

IXTN40P50P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTN40P50P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 205 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 477 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: SOT227
 

 Аналог (замена) для IXTN40P50P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTN40P50P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:85K  ixys
 ixtn46n50l.pdf pdf_icon

IXTN40P50P

Preliminary Technical InformationIXTN46N50L VDSS = 500 VLinear Power MOSFETID25 = 46 AWith Extended FBSOAD RDS(on) 0.16 N-Channel Enhancement ModeGSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXTN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VSGVGS Continuous 30 VVGSM

Другие MOSFET... IXTN170P10P , IXTN17N120L , IXTN200N10L2 , IXTN200N10T , IXTN22N100L , IXTN30N100L , IXTN320N10T , IXTN32P60P , 10N65 , IXTN46N50L , IXTN550N055T2 , IXTN5N250 , IXTN600N04T2 , IXTN60N50L2 , IXTN62N50L , IXTN8N150L , IXTN90N25L2 .

History: WM03DN06D | MTM26N40E | TK40A06N1 | PNMDP600V4 | 2SK2949

 

 
Back to Top

 


 
.