IXTN600N04T2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTN600N04T2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 940 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 600 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00105 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTN600N04T2

IXTN600N04T2 Datasheet (PDF)

9.1. Size:84K ixys
ixtn62n50l.pdf

Preliminary Technical InformationIXTN62N50L VDSS = 500 VLinear Power MOSFETID25 = 62 AWith Extended FBSOAD RDS(on) 0.1 N-Channel Enhancement ModeGSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXTN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VSGVGS Continuous 30 VVGSM

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: