IXTN600N04T2 Todos los transistores

 

IXTN600N04T2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTN600N04T2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 940 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 600 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00105 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227
 

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IXTN600N04T2 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:84K  ixys
 ixtn62n50l.pdf pdf_icon

IXTN600N04T2

Preliminary Technical InformationIXTN62N50L VDSS = 500 VLinear Power MOSFETID25 = 62 AWith Extended FBSOAD RDS(on) 0.1 N-Channel Enhancement ModeGSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXTN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VSGVGS Continuous 30 VVGSM

Otros transistores... IXTN22N100L , IXTN30N100L , IXTN320N10T , IXTN32P60P , IXTN40P50P , IXTN46N50L , IXTN550N055T2 , IXTN5N250 , STP80NF70 , IXTN60N50L2 , IXTN62N50L , IXTN8N150L , IXTN90N25L2 , IXTN90P20P , IXTP01N100D , IXTP02N120P , IXTP02N50D .

History: PK5C1BA | ZXMN6A25DN8 | BUK6D43-60E

 

 
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