IXTN600N04T2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTN600N04T2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 940 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 600 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00105 Ohm

Тип корпуса: SOT227

Аналог (замена) для IXTN600N04T2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTN600N04T2 даташит

 9.1. Size:84K  ixys
 ixtn62n50l.pdf pdf_icon

IXTN600N04T2

Preliminary Technical Information IXTN62N50L VDSS = 500 V Linear Power MOSFET ID25 = 62 A With Extended FBSOA D RDS(on) 0.1 N-Channel Enhancement Mode G S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXTN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V S G VGS Continuous 30 V VGSM

Другие IGBT... IXTN22N100L, IXTN30N100L, IXTN320N10T, IXTN32P60P, IXTN40P50P, IXTN46N50L, IXTN550N055T2, IXTN5N250, 10N65, IXTN60N50L2, IXTN62N50L, IXTN8N150L, IXTN90N25L2, IXTN90P20P, IXTP01N100D, IXTP02N120P, IXTP02N50D