Справочник MOSFET. IXTN600N04T2

 

IXTN600N04T2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTN600N04T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 940 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 600 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00105 Ohm
   Тип корпуса: SOT227
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTN600N04T2 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:84K  ixys
 ixtn62n50l.pdf pdf_icon

IXTN600N04T2

Preliminary Technical InformationIXTN62N50L VDSS = 500 VLinear Power MOSFETID25 = 62 AWith Extended FBSOAD RDS(on) 0.1 N-Channel Enhancement ModeGSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXTN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VSGVGS Continuous 30 VVGSM

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: VBZM18N20 | NTB5404N | MTE130N20FP | QS8K13 | TK3A60DA | HGD750N15M

 

 
Back to Top

 


 
.