IXTN60N50L2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTN60N50L2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 735 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 980 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SOT227

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IXTN60N50L2 datasheet

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IXTN60N50L2

Preliminary Technical Information IXTN62N50L VDSS = 500 V Linear Power MOSFET ID25 = 62 A With Extended FBSOA D RDS(on) 0.1 N-Channel Enhancement Mode G S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXTN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V S G VGS Continuous 30 V VGSM

Otros transistores... IXTN30N100L, IXTN320N10T, IXTN32P60P, IXTN40P50P, IXTN46N50L, IXTN550N055T2, IXTN5N250, IXTN600N04T2, 5N60, IXTN62N50L, IXTN8N150L, IXTN90N25L2, IXTN90P20P, IXTP01N100D, IXTP02N120P, IXTP02N50D, IXTP05N100