Справочник MOSFET. IXTN60N50L2

 

IXTN60N50L2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IXTN60N50L2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 735 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 53 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 610 nC

Время нарастания (tr): 980 ns

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT227

Аналог (замена) для IXTN60N50L2

 

 

IXTN60N50L2 Datasheet (PDF)

5.1. ixtn62n50l.pdf Size:84K _ixys

IXTN60N50L2
IXTN60N50L2

Preliminary Technical Information IXTN62N50L VDSS = 500 V Linear Power MOSFET ID25 = 62 A With Extended FBSOA D ? ? RDS(on) ? 0.1 ? ? ? ? ? ? ? N-Channel Enhancement Mode G S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXTN) E153432 VDSS TJ = 25C to 150C 500 V VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M? 500 V S G VGS Continuous 30 V VGSM Transient 40 V ID25 TC

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top