IXTN60N50L2 - описание и поиск аналогов

 

IXTN60N50L2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTN60N50L2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 735 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 980 ns

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT227

Аналог (замена) для IXTN60N50L2

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTN60N50L2 даташит

 9.1. Size:84K  ixys
 ixtn62n50l.pdf pdf_icon

IXTN60N50L2

Preliminary Technical Information IXTN62N50L VDSS = 500 V Linear Power MOSFET ID25 = 62 A With Extended FBSOA D RDS(on) 0.1 N-Channel Enhancement Mode G S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXTN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V S G VGS Continuous 30 V VGSM

Другие MOSFET... IXTN30N100L , IXTN320N10T , IXTN32P60P , IXTN40P50P , IXTN46N50L , IXTN550N055T2 , IXTN5N250 , IXTN600N04T2 , 5N60 , IXTN62N50L , IXTN8N150L , IXTN90N25L2 , IXTN90P20P , IXTP01N100D , IXTP02N120P , IXTP02N50D , IXTP05N100 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.