Справочник MOSFET. IXTN60N50L2

 

IXTN60N50L2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTN60N50L2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 735 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 610 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 980 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT227
 

 Аналог (замена) для IXTN60N50L2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTN60N50L2 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:84K  ixys
 ixtn62n50l.pdf pdf_icon

IXTN60N50L2

Preliminary Technical InformationIXTN62N50L VDSS = 500 VLinear Power MOSFETID25 = 62 AWith Extended FBSOAD RDS(on) 0.1 N-Channel Enhancement ModeGSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXTN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VSGVGS Continuous 30 VVGSM

Другие MOSFET... IXTN30N100L , IXTN320N10T , IXTN32P60P , IXTN40P50P , IXTN46N50L , IXTN550N055T2 , IXTN5N250 , IXTN600N04T2 , 13N50 , IXTN62N50L , IXTN8N150L , IXTN90N25L2 , IXTN90P20P , IXTP01N100D , IXTP02N120P , IXTP02N50D , IXTP05N100 .

History: IXTN550N055T2

 

 
Back to Top

 


 
.