3SK181-4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3SK181-4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 7 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 55 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT143
Búsqueda de reemplazo de 3SK181-4 MOSFET
3SK181-4 Datasheet (PDF)
3sk186.pdf
3SK186Silicon N-Channel Dual Gate MOS FETApplicationUHF TV tuner RF amplifierOutlineMPAK-42311. Source42. Gate13. Gate24. Drain3SK186Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitDrain to source voltage VDS 12 VGate 1 to source voltage VG1S 10 VGate 2 to source voltage VG2S 10 VDrain current ID 35 mAChannel power dissipation Pch 15
Otros transistores... 3SK17 , 3SK171 , 3SK179 , 3SK180 , 3SK180-4 , 3SK180-5 , 3SK180-6 , 3SK181 , 7N65 , 3SK181-5 , 3SK181-6 , 3SK182 , 3SK186 , 3SK192P , 3SK192Q , 3SK193P , 3SK193Q .
History: BSC036NE7NS3G | NTK3139PT1G | SUM60N10-17 | IXFH50N85X | ZXMC3F31DN8 | 2N4003K | AOB15S60L
History: BSC036NE7NS3G | NTK3139PT1G | SUM60N10-17 | IXFH50N85X | ZXMC3F31DN8 | 2N4003K | AOB15S60L
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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