Справочник MOSFET. 3SK181-4

 

3SK181-4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 3SK181-4
   Маркировка: EJ4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 7 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 55 Ohm
   Тип корпуса: SOT143

 Аналог (замена) для 3SK181-4

 

 

3SK181-4 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:474K  1
 3sk181.pdf

3SK181-4 3SK181-4

 9.1. Size:181K  1
 3sk171 3sk179 3sk182 3sk193.pdf

3SK181-4

 9.2. Size:32K  1
 3sk186.pdf

3SK181-4 3SK181-4

3SK186Silicon N-Channel Dual Gate MOS FETApplicationUHF TV tuner RF amplifierOutlineMPAK-42311. Source42. Gate13. Gate24. Drain3SK186Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitDrain to source voltage VDS 12 VGate 1 to source voltage VG1S 10 VGate 2 to source voltage VG2S 10 VDrain current ID 35 mAChannel power dissipation Pch 15

 9.3. Size:177K  sanyo
 3sk189.pdf

3SK181-4 3SK181-4

 9.4. Size:172K  sanyo
 3sk180.pdf

3SK181-4 3SK181-4

Ordering number:ENN2129BN-Channel Silicon MOSFET (Dual Gate)3SK180High-Frequency General-Purpose AmplifierApplicationsApplications Package Dimensions FM tuners and VHF tuners. unit:mm2046AFeatures [3SK180]1.9 High power gain and low noise figure.0.95 0.95 High forward transfer admittance.0.40.164 30 to 0.11 20.60.95 0.851 : Drain2.92 : Source

Другие MOSFET... 3SK17 , 3SK171 , 3SK179 , 3SK180 , 3SK180-4 , 3SK180-5 , 3SK180-6 , 3SK181 , AON6414A , 3SK181-5 , 3SK181-6 , 3SK182 , 3SK186 , 3SK192P , 3SK192Q , 3SK193P , 3SK193Q .

 

 
Back to Top