3SK181-4 - описание и поиск аналогов

 

3SK181-4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3SK181-4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 15 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 7 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 55 Ohm

Тип корпуса: SOT143

Аналог (замена) для 3SK181-4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3SK181-4 даташит

 8.1. Size:474K  1
 3sk181.pdf pdf_icon

3SK181-4

 9.1. Size:181K  1
 3sk171 3sk179 3sk182 3sk193.pdf pdf_icon

3SK181-4

 9.2. Size:32K  1
 3sk186.pdf pdf_icon

3SK181-4

3SK186 Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET Application UHF TV tuner RF amplifier Outline MPAK-4 2 3 1 1. Source 4 2. Gate1 3. Gate2 4. Drain 3SK186 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Drain to source voltage VDS 12 V Gate 1 to source voltage VG1S 10 V Gate 2 to source voltage VG2S 10 V Drain current ID 35 mA Channel power dissipation Pch 15

 9.3. Size:177K  sanyo
 3sk189.pdf pdf_icon

3SK181-4

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 3SK17 , 3SK171 , 3SK179 , 3SK180 , 3SK180-4 , 3SK180-5 , 3SK180-6 , 3SK181 , 10N60 , 3SK181-5 , 3SK181-6 , 3SK182 , 3SK186 , 3SK192P , 3SK192Q , 3SK193P , 3SK193Q .

History: WMK18N70EM | LNTA7002NT1G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.