IXTP90N055T Todos los transistores

 

IXTP90N055T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTP90N055T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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IXTP90N055T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  ixys
 ixta90n055t ixtp90n055t.pdf pdf_icon

IXTP90N055T

Preliminary Technical InformationIXTA90N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTP90N055T ID25 = 90 APower MOSFET RDS(on) 8.8 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 TC =

 9.1. Size:302K  cn vbsemi
 ixtp98n075t.pdf pdf_icon

IXTP90N055T

IXTP98N075Twww.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETaVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0065at VGS = 10 V 8080 0.0070at VGS = 6.0 V 75 17.1 nCAPPLICATIONS0.0085at VGS = 4.5 V 65 Primary Side SwitchingTO-220AB Synchronous RectificationD DC/AC Inverters LED Back

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History: UTT75N08 | STU10N60M2 | DH850N10 | MTP162M3 | IRFPE20 | 25N10L-TM3-T | MTA090N02KC3

 

 
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