IXTP90N055T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTP90N055T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm

Encapsulados: TO220

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IXTP90N055T datasheet

 ..1. Size:215K  ixys
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IXTP90N055T

Preliminary Technical Information IXTA90N055T VDSS = 55 V TrenchMVTM IXTP90N055T ID25 = 90 A Power MOSFET RDS(on) 8.8 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 175 C55 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 V G VGSM Transient 20 V S (TAB) ID25 TC =

 9.1. Size:302K  cn vbsemi
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IXTP90N055T

IXTP98N075T www.VBsemi.com N-Channel 80 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET a VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0065at VGS = 10 V 80 80 0.0070at VGS = 6.0 V 75 17.1 nC APPLICATIONS 0.0085at VGS = 4.5 V 65 Primary Side Switching TO-220AB Synchronous Rectification D DC/AC Inverters LED Back

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