Справочник MOSFET. IXTP90N055T

 

IXTP90N055T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTP90N055T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 176 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 90 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 61 nC
   Время нарастания (tr): 70 ns
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0088 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IXTP90N055T

 

 

IXTP90N055T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  ixys
 ixta90n055t ixtp90n055t.pdf

IXTP90N055T IXTP90N055T

Preliminary Technical InformationIXTA90N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTP90N055T ID25 = 90 APower MOSFET RDS(on) 8.8 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 TC =

 9.1. Size:302K  cn vbsemi
 ixtp98n075t.pdf

IXTP90N055T IXTP90N055T

IXTP98N075Twww.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETaVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0065at VGS = 10 V 8080 0.0070at VGS = 6.0 V 75 17.1 nCAPPLICATIONS0.0085at VGS = 4.5 V 65 Primary Side SwitchingTO-220AB Synchronous RectificationD DC/AC Inverters LED Back

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top