3SK202Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 3SK202Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 135 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 40 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO120

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 3SK202Q

3SK202Q Datasheet (PDF)

..1. Size:440K 1
3sk202q 3sk202r.pdf

/eccle stage.dneaunniettnnioacsmaintenance typeplaned maintenance typeMidiscontinued typeplaned discontinued typedDhttp://panasonic.net/sc/enMaintenance/Discontinued includes following four Product lifecyPlease visit following URL about latest information.Request for your special attention and precautions in using the technical

9.1. Size:43K 1
3sk206.pdf

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR3SK206RF AMP. FOR UHF TV TUNERN-CHANNEL GaAs DUAL GATE MES FIELD-EFFECT TRANSISTOR4PIN MINI MOLDFEATURESPACKAGE DIMENSIONS Suitable for use as RF amplifier in UHF TV tuner.in millimeters Low Crss: 0.02 pF TYP.2.8+0.2 0.3 High GPS: 20 dB TYP.1.5+0.2 0.1 Low NF: 1.1 dB TYP.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25

9.2. Size:183K toshiba
3sk207.pdf

3SK207 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Dual Gate MOS Type 3SK207 TV Tuner, UHF RF Amplifier Applications Unit: mm Superior cross modulation performance. Low reverse transfer capacitance: C = 0.015 pF (typ.) rss Low noise figure: NF = 1.9dB (typ.) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDS 13

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Liste

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