3SK202Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 3SK202Q
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 15 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.03 A
Максимальная температура канала (Tj): 135 °C
Выходная емкость (Cd): 1.4 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 40 Ohm
Тип корпуса: TO120
3SK202Q Datasheet (PDF)
3sk202q 3sk202r.pdf
/eccle stage.dneaunniettnnioacsmaintenance typeplaned maintenance typeMidiscontinued typeplaned discontinued typedDhttp://panasonic.net/sc/enMaintenance/Discontinued includes following four Product lifecyPlease visit following URL about latest information.Request for your special attention and precautions in using the technical
3sk206.pdf
DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR3SK206RF AMP. FOR UHF TV TUNERN-CHANNEL GaAs DUAL GATE MES FIELD-EFFECT TRANSISTOR4PIN MINI MOLDFEATURESPACKAGE DIMENSIONS Suitable for use as RF amplifier in UHF TV tuner.in millimeters Low Crss: 0.02 pF TYP.2.8+0.2 0.3 High GPS: 20 dB TYP.1.5+0.2 0.1 Low NF: 1.1 dB TYP.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25
3sk207.pdf
3SK207 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Dual Gate MOS Type 3SK207 TV Tuner, UHF RF Amplifier Applications Unit: mm Superior cross modulation performance. Low reverse transfer capacitance: C = 0.015 pF (typ.) rss Low noise figure: NF = 1.9dB (typ.) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDS 13
Другие MOSFET... 3SK181-6 , 3SK182 , 3SK186 , 3SK192P , 3SK192Q , 3SK193P , 3SK193Q , 3SK194 , K3569 , 3SK202R , 3SK206 , 3SK222 , 3SK219 , 3SK223 , 3SK224 , 3SK227 , 3SK37 .
