IXTR30N25 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTR30N25  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm

Encapsulados: ISOPLUS247

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IXTR30N25 datasheet

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IXTR30N25

Advance Technical Information Standard Power MOSFETs IXTR 30N25 VDSS = 250 V ISOPLUS247TM ID (cont) = 25 A RDS(on) = 75 m (Electrically Isolated Backside) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 250 V VGS Continu

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