Справочник MOSFET. IXTR30N25

 

IXTR30N25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTR30N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS247
 

 Аналог (замена) для IXTR30N25

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTR30N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:77K  ixys
 ixtr30n25.pdf pdf_icon

IXTR30N25

Advance Technical InformationStandard Power MOSFETsIXTR 30N25VDSS = 250 VISOPLUS247TM ID (cont) = 25 ARDS(on) = 75 m(Electrically Isolated Backside)N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432VDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 250 VVGS Continu

Другие MOSFET... IXTQ90N15T , IXTQ96N15P , IXTQ96N20P , IXTQ96N25T , IXTR16P60P , IXTR170P10P , IXTR200N10P , IXTR20P50P , HY1906P , IXTR32P60P , IXTR36P15P , IXTR40P50P , IXTR48P20P , IXTR62N15P , IXTR90P10P , IXTR90P20P , IXTT100N25P .

History: ATM7002KNSA | STD100N03LT4 | SWN7N65K2 | IXTK120N25P | STW75N60M6 | HGP059N08A | SSM6P15FU

 

 
Back to Top

 


 
.