Справочник MOSFET. IXTR30N25

 

IXTR30N25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTR30N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTR30N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:77K  ixys
 ixtr30n25.pdf pdf_icon

IXTR30N25

Advance Technical InformationStandard Power MOSFETsIXTR 30N25VDSS = 250 VISOPLUS247TM ID (cont) = 25 ARDS(on) = 75 m(Electrically Isolated Backside)N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432VDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 250 VVGS Continu

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IRF624S | AF5N60S | BL2N60-P | S10H18RN | RUH1H139S | 2SK3272-01L | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.