IXTR32P60P Todos los transistores

 

IXTR32P60P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTR32P60P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 480 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.385 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS247
 

 Búsqueda de reemplazo de IXTR32P60P MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXTR32P60P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:77K  ixys
 ixtr30n25.pdf pdf_icon

IXTR32P60P

Advance Technical InformationStandard Power MOSFETsIXTR 30N25VDSS = 250 VISOPLUS247TM ID (cont) = 25 ARDS(on) = 75 m(Electrically Isolated Backside)N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432VDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 250 VVGS Continu

Otros transistores... IXTQ96N15P , IXTQ96N20P , IXTQ96N25T , IXTR16P60P , IXTR170P10P , IXTR200N10P , IXTR20P50P , IXTR30N25 , BS170 , IXTR36P15P , IXTR40P50P , IXTR48P20P , IXTR62N15P , IXTR90P10P , IXTR90P20P , IXTT100N25P , IXTT10N100D .

History: NCE70N1K4F | AM90N06-15P | HUF75829D3S | PMCM440VNE | BL2N60-D | HUF75637S3ST | P1003BK

 

 
Back to Top

 


 
.