Справочник MOSFET. IXTR32P60P

 

IXTR32P60P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTR32P60P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 480 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.385 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS247
 

 Аналог (замена) для IXTR32P60P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTR32P60P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:77K  ixys
 ixtr30n25.pdf pdf_icon

IXTR32P60P

Advance Technical InformationStandard Power MOSFETsIXTR 30N25VDSS = 250 VISOPLUS247TM ID (cont) = 25 ARDS(on) = 75 m(Electrically Isolated Backside)N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432VDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 250 VVGS Continu

Другие MOSFET... IXTQ96N15P , IXTQ96N20P , IXTQ96N25T , IXTR16P60P , IXTR170P10P , IXTR200N10P , IXTR20P50P , IXTR30N25 , AO3407 , IXTR36P15P , IXTR40P50P , IXTR48P20P , IXTR62N15P , IXTR90P10P , IXTR90P20P , IXTT100N25P , IXTT10N100D .

History: NDB410B | BRCS035N06SDP | BSC019N04NSG | CEP07N65A | SQJA02EP | AM20P03-60I

 

 
Back to Top

 


 
.