IXTR32P60P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTR32P60P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 480 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.385 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXTR32P60P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTR32P60P даташит

 9.1. Size:77K  ixys
 ixtr30n25.pdf pdf_icon

IXTR32P60P

Advance Technical Information Standard Power MOSFETs IXTR 30N25 VDSS = 250 V ISOPLUS247TM ID (cont) = 25 A RDS(on) = 75 m (Electrically Isolated Backside) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 250 V VGS Continu

Другие IGBT... IXTQ96N15P, IXTQ96N20P, IXTQ96N25T, IXTR16P60P, IXTR170P10P, IXTR200N10P, IXTR20P50P, IXTR30N25, AO4407A, IXTR36P15P, IXTR40P50P, IXTR48P20P, IXTR62N15P, IXTR90P10P, IXTR90P20P, IXTT100N25P, IXTT10N100D