Справочник MOSFET. IXTR32P60P

 

IXTR32P60P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTR32P60P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 480 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.385 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTR32P60P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:77K  ixys
 ixtr30n25.pdf pdf_icon

IXTR32P60P

Advance Technical InformationStandard Power MOSFETsIXTR 30N25VDSS = 250 VISOPLUS247TM ID (cont) = 25 ARDS(on) = 75 m(Electrically Isolated Backside)N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432VDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 250 VVGS Continu

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: RU82100R | AP2306CGN-HF | SPD3N80G | AO6405 | IRF3710ZG | ZVP4525Z | FDMC3612

 

 
Back to Top

 


 
.