IXTR62N15P Todos los transistores

 

IXTR62N15P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTR62N15P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS247
 

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IXTR62N15P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:198K  ixys
 ixtr68p20t.pdf pdf_icon

IXTR62N15P

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = - 200VIXTR68P20TPower MOSFET ID25 = - 44A RDS(on) 64m P-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedISOPLUS247E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C - 200 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M - 200 VIsolated TabDSVGSS Continuous 15 VVGSM Transient

Otros transistores... IXTR170P10P , IXTR200N10P , IXTR20P50P , IXTR30N25 , IXTR32P60P , IXTR36P15P , IXTR40P50P , IXTR48P20P , BS170 , IXTR90P10P , IXTR90P20P , IXTT100N25P , IXTT10N100D , IXTT10N100D2 , IXTT10P50 , IXTT10P60 , IXTT110N10L2 .

History: GMP3205 | IXFT86N30T | OSG60R670DF | IRFS723 | ME70N03S-G | DH400P06F | IPB180N08S4-02

 

 
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