IXTR62N15P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTR62N15P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXTR62N15P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTR62N15P даташит

 9.1. Size:198K  ixys
 ixtr68p20t.pdf pdf_icon

IXTR62N15P

Другие IGBT... IXTR170P10P, IXTR200N10P, IXTR20P50P, IXTR30N25, IXTR32P60P, IXTR36P15P, IXTR40P50P, IXTR48P20P, IRF730, IXTR90P10P, IXTR90P20P, IXTT100N25P, IXTT10N100D, IXTT10N100D2, IXTT10P50, IXTT10P60, IXTT110N10L2