Справочник MOSFET. IXTR62N15P

 

IXTR62N15P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTR62N15P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS247
 

 Аналог (замена) для IXTR62N15P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTR62N15P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:198K  ixys
 ixtr68p20t.pdf pdf_icon

IXTR62N15P

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = - 200VIXTR68P20TPower MOSFET ID25 = - 44A RDS(on) 64m P-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedISOPLUS247E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C - 200 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M - 200 VIsolated TabDSVGSS Continuous 15 VVGSM Transient

Другие MOSFET... IXTR170P10P , IXTR200N10P , IXTR20P50P , IXTR30N25 , IXTR32P60P , IXTR36P15P , IXTR40P50P , IXTR48P20P , BS170 , IXTR90P10P , IXTR90P20P , IXTT100N25P , IXTT10N100D , IXTT10N100D2 , IXTT10P50 , IXTT10P60 , IXTT110N10L2 .

History: P2003ED | BSC027N06LS5 | ZXM62N03G | IXTK17N120L | AOTF20S60L | P0460ED | CHM4559JGP

 

 
Back to Top

 


 
.