IXTT1N100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTT1N100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 23 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 710 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO268

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTT1N100

IXTT1N100 Datasheet (PDF)

..1. Size:73K ixys
ixth1n100 ixtt1n100.pdf

Advance Technical InformationVDSS = 1000 VIXTH 1N100High Voltage MOSFETID25 = 1.5 AIXTT 1N100 RDS(on) = 11 N-Channel Enhancement ModeAvalanche Energy RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC

8.1. Size:155K ixys
ixtt1n450hv.pdf

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 4500VIXTT1N450HVPower MOSFETID25 = 1A RDS(on) 85 N-Channel Enhancement ModeTO-268 (IXTT)GSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 4500 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4500 VG = Gate D = DrainS = Source Tab = DrainVGSS Continuous 20 VVGSM

8.2. Size:208K ixys
ixth1n300p3hv ixtt1n300p3hv.pdf

Preliminary Technical InformationHigh Voltage VDSS = 3000VIXTT1N300P3HVPower MOSFETID25 = 1.00AIXTH1N300P3HV RDS(on) 50 N-Channel Enhancement ModeTO-268HV (IXTT)GS D (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 3000 VTO-247HV (IXTH)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 3000 VVGSS

8.3. Size:152K ixys
ixtt1n250hv.pdf

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 2500VIXTT1N250HVID25 = 1.5APower MOSFET RDS(on) 40 N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeTO-268SGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 2500 VG = Gate D = DrainS = Source Tab = DrainVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 2500 VVGSS Contin

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: