IXTT1N100 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTT1N100  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 710 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11 Ohm

Тип корпуса: TO268

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXTT1N100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTT1N100 даташит

 ..1. Size:73K  ixys
 ixth1n100 ixtt1n100.pdf pdf_icon

IXTT1N100

Advance Technical Information VDSS = 1000 V IXTH 1N100 High Voltage MOSFET ID25 = 1.5 A IXTT 1N100 RDS(on) = 11 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Energy Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC

 8.1. Size:155K  ixys
 ixtt1n450hv.pdf pdf_icon

IXTT1N100

Advance Technical Information High Voltage VDSS = 4500V IXTT1N450HV Power MOSFET ID25 = 1A RDS(on) 85 N-Channel Enhancement Mode TO-268 (IXTT) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 150 C 4500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 4500 V G = Gate D = Drain S = Source Tab = Drain VGSS Continuous 20 V VGSM

 8.2. Size:208K  ixys
 ixth1n300p3hv ixtt1n300p3hv.pdf pdf_icon

IXTT1N100

Preliminary Technical Information High Voltage VDSS = 3000V IXTT1N300P3HV Power MOSFET ID25 = 1.00A IXTH1N300P3HV RDS(on) 50 N-Channel Enhancement Mode TO-268HV (IXTT) G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 3000 V TO-247HV (IXTH) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 3000 V VGSS

 8.3. Size:152K  ixys
 ixtt1n250hv.pdf pdf_icon

IXTT1N100

Advance Technical Information High Voltage VDSS = 2500V IXTT1N250HV ID25 = 1.5A Power MOSFET RDS(on) 40 N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode TO-268S G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 2500 V G = Gate D = Drain S = Source Tab = Drain VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 2500 V VGSS Contin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTT120N15P, IXTT12N140, IXTT140N10P, IXTT16N10D2, IXTT16N20D2, IXTT16N50D2, IXTT16P60P, IXTT170N10P, IRF3710, IXTT20N50D, IXTT20P50P, IXTT24N50Q, IXTT24P20, IXTT26N50P, IXTT26N60P, IXTT28N50Q, IXTT30N50L