3SK219 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3SK219

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 15 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 71 Ohm

Encapsulados: MINI-TYPE

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3SK219 datasheet

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3SK219

High Frequency FETs 3SK219 3SK219 Silicon N-Channel 4-pin MOS Unit mm For VHF amplification +0.2 2.8 0.3 +0.2 0.65 0.15 1.5 0.3 0.65 0.15 Features Low noise-figure (NF) 0.5R 4 1 Large power gain PG Downsizing of sets by mini power package and automatic insertion by taping/magazine packing are available. 3 2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 0.4 0.2 Para

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