3SK219 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 3SK219
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 71 Ohm
   Paquete / Cubierta: MINI-TYPE

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3SK219 Datasheet (PDF)

..1. Size:30K panasonic
3sk219.pdf

High Frequency FETs 3SK2193SK219Silicon N-Channel 4-pin MOSUnit : mmFor VHF amplification+0.22.8 0.3+0.20.65 0.15 1.5 0.3 0.65 0.15 Features Low noise-figure (NF)0.5R4 1 Large power gain PG Downsizing of sets by mini power package and automatic insertionby taping/magazine packing are available.3 2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)0.4 0.2Para

Otros transistores... 3SK192Q , 3SK193P , 3SK193Q , 3SK194 , 3SK202Q , 3SK202R , 3SK206 , 3SK222 , IRFP260 , 3SK223 , 3SK224 , 3SK227 , 3SK37 , 3SK38 , 3SK38A , 3SK39 , 3SK40 .

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