3SK219 Todos los transistores

 

3SK219 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3SK219
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 71 Ohm
   Paquete / Cubierta: MINI-TYPE
 

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3SK219 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:30K  panasonic
 3sk219.pdf pdf_icon

3SK219

High Frequency FETs 3SK2193SK219Silicon N-Channel 4-pin MOSUnit : mmFor VHF amplification+0.22.8 0.3+0.20.65 0.15 1.5 0.3 0.65 0.15 Features Low noise-figure (NF)0.5R4 1 Large power gain PG Downsizing of sets by mini power package and automatic insertionby taping/magazine packing are available.3 2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)0.4 0.2Para

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History: 2SK3112 | AOB466L | SSW7N60B | WTC4501 | SMK1065F | AP2C016LMT | STF30N65M5

 

 
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