3SK219 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 3SK219
Маркировка: AE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.15 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 15 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.03 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 1.5 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 71 Ohm
Тип корпуса: MINI-TYPE
3SK219 Datasheet (PDF)
..1. Size:30K panasonic
3sk219.pdf
3sk219.pdf
High Frequency FETs 3SK2193SK219Silicon N-Channel 4-pin MOSUnit : mmFor VHF amplification+0.22.8 0.3+0.20.65 0.15 1.5 0.3 0.65 0.15 Features Low noise-figure (NF)0.5R4 1 Large power gain PG Downsizing of sets by mini power package and automatic insertionby taping/magazine packing are available.3 2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)0.4 0.2Para
Другие MOSFET... 3SK192Q , 3SK193P , 3SK193Q , 3SK194 , 3SK202Q , 3SK202R , 3SK206 , 3SK222 , SPP20N60C3 , 3SK223 , 3SK224 , 3SK227 , 3SK37 , 3SK38 , 3SK38A , 3SK39 , 3SK40 .
