3SK219. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 3SK219
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 15 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 1.5 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 71 Ohm
Тип корпуса: MINI-TYPE
Аналог (замена) для 3SK219
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
3SK219 даташит
3sk219.pdf
High Frequency FETs 3SK219 3SK219 Silicon N-Channel 4-pin MOS Unit mm For VHF amplification +0.2 2.8 0.3 +0.2 0.65 0.15 1.5 0.3 0.65 0.15 Features Low noise-figure (NF) 0.5R 4 1 Large power gain PG Downsizing of sets by mini power package and automatic insertion by taping/magazine packing are available. 3 2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 0.4 0.2 Para
Другие MOSFET... 3SK192Q , 3SK193P , 3SK193Q , 3SK194 , 3SK202Q , 3SK202R , 3SK206 , 3SK222 , IRF9540N , 3SK223 , 3SK224 , 3SK227 , 3SK37 , 3SK38 , 3SK38A , 3SK39 , 3SK40 .
History: 3SK39
History: 3SK39
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet

