Справочник MOSFET. 3SK219

 

3SK219 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 3SK219
   Маркировка: AE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 71 Ohm
   Тип корпуса: MINI-TYPE
 

 Аналог (замена) для 3SK219

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3SK219 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:30K  panasonic
 3sk219.pdf pdf_icon

3SK219

High Frequency FETs 3SK2193SK219Silicon N-Channel 4-pin MOSUnit : mmFor VHF amplification+0.22.8 0.3+0.20.65 0.15 1.5 0.3 0.65 0.15 Features Low noise-figure (NF)0.5R4 1 Large power gain PG Downsizing of sets by mini power package and automatic insertionby taping/magazine packing are available.3 2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)0.4 0.2Para

Другие MOSFET... 3SK192Q , 3SK193P , 3SK193Q , 3SK194 , 3SK202Q , 3SK202R , 3SK206 , 3SK222 , IRF1010E , 3SK223 , 3SK224 , 3SK227 , 3SK37 , 3SK38 , 3SK38A , 3SK39 , 3SK40 .

 

 
Back to Top

 


 
.