IXTT40N50L2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTT40N50L2  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 540 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 500 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm

Encapsulados: TO268

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IXTT40N50L2 datasheet

 9.1. Size:190K  ixys
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IXTT40N50L2

High Voltage VDSS = 1500V IXTA4N150HV ID25 = 4A Power MOSFETs IXTT4N150HV RDS(on) 6 N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode TO-263HV Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 1500 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1500 V D (Tab) VGSS Continuous 30 V VGSM Trans

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