Справочник MOSFET. IXTT40N50L2

 

IXTT40N50L2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTT40N50L2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 540 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 500 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TO268
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTT40N50L2 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:190K  ixys
 ixtt4n150hv.pdf pdf_icon

IXTT40N50L2

High Voltage VDSS = 1500VIXTA4N150HVID25 = 4APower MOSFETsIXTT4N150HV RDS(on) 6 N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeTO-263HVSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VD (Tab)VGSS Continuous 30 VVGSM Trans

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NTD4858N | STP4NA60 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | SIE868DF

 

 
Back to Top

 


 
.