Справочник MOSFET. IXTT40N50L2

 

IXTT40N50L2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTT40N50L2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 540 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 500 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TO268
 

 Аналог (замена) для IXTT40N50L2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTT40N50L2 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:190K  ixys
 ixtt4n150hv.pdf pdf_icon

IXTT40N50L2

High Voltage VDSS = 1500VIXTA4N150HVID25 = 4APower MOSFETsIXTT4N150HV RDS(on) 6 N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeTO-263HVSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VD (Tab)VGSS Continuous 30 VVGSM Trans

Другие MOSFET... IXTT28N50Q , IXTT30N50L , IXTT30N50L2 , IXTT30N50P , IXTT30N60L2 , IXTT30N60P , IXTT360N055T2 , IXTT36N50P , IRF1010E , IXTT440N055T2 , IXTT48P20P , IXTT500N04T2 , IXTT50N30 , IXTT50P085 , IXTT50P10 , IXTT52N30P , IXTT60N10 .

History: HTN021N03 | MPSC60M160 | ME2612-G | BL7N80-W | FQB27P06TM | PJA3402 | CEP04N7G

 

 
Back to Top

 


 
.