IXTT48P20P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTT48P20P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 462 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 260 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: TO268

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IXTT48P20P datasheet

 9.1. Size:190K  ixys
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IXTT48P20P

High Voltage VDSS = 1500V IXTA4N150HV ID25 = 4A Power MOSFETs IXTT4N150HV RDS(on) 6 N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode TO-263HV Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 1500 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1500 V D (Tab) VGSS Continuous 30 V VGSM Trans

Otros transistores... IXTT30N50L2, IXTT30N50P, IXTT30N60L2, IXTT30N60P, IXTT360N055T2, IXTT36N50P, IXTT40N50L2, IXTT440N055T2, IRLB4132, IXTT500N04T2, IXTT50N30, IXTT50P085, IXTT50P10, IXTT52N30P, IXTT60N10, IXTT60N20L2, IXTT64N25P