Справочник MOSFET. IXTT48P20P

 

IXTT48P20P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTT48P20P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 462 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 260 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: TO268
 

 Аналог (замена) для IXTT48P20P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTT48P20P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:190K  ixys
 ixtt4n150hv.pdf pdf_icon

IXTT48P20P

High Voltage VDSS = 1500VIXTA4N150HVID25 = 4APower MOSFETsIXTT4N150HV RDS(on) 6 N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeTO-263HVSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VD (Tab)VGSS Continuous 30 VVGSM Trans

Другие MOSFET... IXTT30N50L2 , IXTT30N50P , IXTT30N60L2 , IXTT30N60P , IXTT360N055T2 , IXTT36N50P , IXTT40N50L2 , IXTT440N055T2 , 5N60 , IXTT500N04T2 , IXTT50N30 , IXTT50P085 , IXTT50P10 , IXTT52N30P , IXTT60N10 , IXTT60N20L2 , IXTT64N25P .

History: IXFL40N110P | IXTJ3N150 | CPH6311 | KQB2N50 | RJK03M3DPA | SM3419NHQA | RS1G180MN

 

 
Back to Top

 


 
.