IXTU1N80P Todos los transistores

 

IXTU1N80P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTU1N80P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 700 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 14 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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IXTU1N80P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:161K  ixys
 ixta1n80p ixtp1n80p ixtu1n80p ixty1n80p.pdf pdf_icon

IXTU1N80P

Preliminary Technical InformationVDSS = 800VIXTA1N80PPolarTM PowerID25 = 1AIXTP1N80PMOSFET RDS(on) 14 IXTU1N80PIXTY1N80PN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA) TO-220 (IXTP) TO-251 (IXTU)GG(TAB)(TAB)(TAB)S G DDSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-252 (IXTY)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVD

Otros transistores... IXTT8P50 , IXTT90P10P , IXTT96N15P , IXTT96N20P , IXTU01N100D , IXTU02N50D , IXTU05N100 , IXTU12N06T , SKD502T , IXTU1R4N60P , IXTU2N80P , IXTU4N60P , IXTU5N50P , IXTV02N250S , IXTV03N400S , IXTV102N20T , IXTV110N25TS .

History: MDU1535URH | TPCL4203 | MPSU60M370 | PP2H06AK | SFF40N30Z

 

 
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