IXTU1N80P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTU1N80P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 700 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 14 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXTU1N80P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTU1N80P даташит

 ..1. Size:161K  ixys
 ixta1n80p ixtp1n80p ixtu1n80p ixty1n80p.pdf pdf_icon

IXTU1N80P

Preliminary Technical Information VDSS = 800V IXTA1N80P PolarTM Power ID25 = 1A IXTP1N80P MOSFET RDS(on) 14 IXTU1N80P IXTY1N80P N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 (IXTA) TO-220 (IXTP) TO-251 (IXTU) G G (TAB) (TAB) (TAB) S G D D S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-252 (IXTY) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VD

Другие IGBT... IXTT8P50, IXTT90P10P, IXTT96N15P, IXTT96N20P, IXTU01N100D, IXTU02N50D, IXTU05N100, IXTU12N06T, RFP50N06, IXTU1R4N60P, IXTU2N80P, IXTU4N60P, IXTU5N50P, IXTV02N250S, IXTV03N400S, IXTV102N20T, IXTV110N25TS