Справочник MOSFET. IXTU1N80P

 

IXTU1N80P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTU1N80P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   trⓘ - Время нарастания: 700 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 14 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTU1N80P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:161K  ixys
 ixta1n80p ixtp1n80p ixtu1n80p ixty1n80p.pdf pdf_icon

IXTU1N80P

Preliminary Technical InformationVDSS = 800VIXTA1N80PPolarTM PowerID25 = 1AIXTP1N80PMOSFET RDS(on) 14 IXTU1N80PIXTY1N80PN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA) TO-220 (IXTP) TO-251 (IXTU)GG(TAB)(TAB)(TAB)S G DDSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-252 (IXTY)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVD

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FTK55P30D | CM20N50P | JCS2N60MB | P0908ATF | 2SK4108 | 2SK2424 | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.