Справочник MOSFET. IXTU1N80P

 

IXTU1N80P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTU1N80P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 700 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 14 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для IXTU1N80P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTU1N80P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:161K  ixys
 ixta1n80p ixtp1n80p ixtu1n80p ixty1n80p.pdf pdf_icon

IXTU1N80P

Preliminary Technical InformationVDSS = 800VIXTA1N80PPolarTM PowerID25 = 1AIXTP1N80PMOSFET RDS(on) 14 IXTU1N80PIXTY1N80PN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA) TO-220 (IXTP) TO-251 (IXTU)GG(TAB)(TAB)(TAB)S G DDSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-252 (IXTY)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVD

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: TA17656 | IXTY64N055T

 

 
Back to Top

 


 
.