IXTU4N60P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTU4N60P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 500 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: TO251

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IXTU4N60P datasheet

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 ixta4n60p ixtp4n60p ixtu4n60p ixty4n60p.pdf pdf_icon

IXTU4N60P

IXTA4N60P VDSS = 600 V PolarHVTM IXTP4N60P ID25 = 4 A Power MOSFET IXTU4N60P RDS(on) 2.0 N-Channel Enhancement Mode IXTY4N60P Avalanche Rated TO-263 (IXTA) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings (TAB) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V TO-220 (IXTP) VGSS Continuous 30 V VGSM Transient 40 V

Otros transistores... IXTT96N20P, IXTU01N100D, IXTU02N50D, IXTU05N100, IXTU12N06T, IXTU1N80P, IXTU1R4N60P, IXTU2N80P, 18N50, IXTU5N50P, IXTV02N250S, IXTV03N400S, IXTV102N20T, IXTV110N25TS, IXTV18N60P, IXTV18N60PS, IXTV200N10T