Справочник MOSFET. IXTU4N60P

 

IXTU4N60P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTU4N60P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   trⓘ - Время нарастания: 500 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTU4N60P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  ixys
 ixta4n60p ixtp4n60p ixtu4n60p ixty4n60p.pdf pdf_icon

IXTU4N60P

IXTA4N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTP4N60P ID25 = 4 APower MOSFETIXTU4N60P RDS(on) 2.0 N-Channel Enhancement ModeIXTY4N60PAvalanche RatedTO-263 (IXTA)GSSymbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VTO-220 (IXTP)VGSS Continuous 30 VVGSM Transient 40 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 4N65G-K08-5060-R | TK40P04M | 2SK2996 | FQI15P12TU | WMB115N15HG4 | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.