IXTU4N60P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTU4N60P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 500 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXTU4N60P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTU4N60P даташит

 ..1. Size:141K  ixys
 ixta4n60p ixtp4n60p ixtu4n60p ixty4n60p.pdf pdf_icon

IXTU4N60P

IXTA4N60P VDSS = 600 V PolarHVTM IXTP4N60P ID25 = 4 A Power MOSFET IXTU4N60P RDS(on) 2.0 N-Channel Enhancement Mode IXTY4N60P Avalanche Rated TO-263 (IXTA) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings (TAB) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V TO-220 (IXTP) VGSS Continuous 30 V VGSM Transient 40 V

Другие IGBT... IXTT96N20P, IXTU01N100D, IXTU02N50D, IXTU05N100, IXTU12N06T, IXTU1N80P, IXTU1R4N60P, IXTU2N80P, 18N50, IXTU5N50P, IXTV02N250S, IXTV03N400S, IXTV102N20T, IXTV110N25TS, IXTV18N60P, IXTV18N60PS, IXTV200N10T