IXTV03N400S Todos los transistores

 

IXTV03N400S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTV03N400S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 4000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.8 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 290 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS220SMD
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXTV03N400S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  ixys
 ixth03n400 ixtv03n400s.pdf pdf_icon

IXTV03N400S

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 4000VIXTH03N400ID25 = 300mAPower MOSFET IXTV03N400S RDS(on) 290 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-247 (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 4000 VDD (Tab)SVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4000 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transie

 9.1. Size:194K  ixys
 ixth02n250 ixtv02n250s.pdf pdf_icon

IXTV03N400S

High VoltageIXTH02N250VDSS = 2500VPower MOSFETsID25 = 200mA IXTV02N250S RDS(on) 450 N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeTO-247 (IXTH)GD D (Tab)SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 2500 VPLUS220SMD (IXTV_S)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 2500 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: WNM4153 | NVTFS002N04C | IPP120P04P4L-03 | SQS405ENW | LBSS84DW1T1G | VN0335N5 | SFG100N08GF

 

 
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